Nghais

Mae'r ffwrnais trylediad ocsidiad yn offer proses allweddol ar gyfer cynhyrchu celloedd PV. Mae'n cymysgu ac yn tryledu symiau olrhain o boron, ffosfforws ac elfennau eraill ar y wafer silicon ar dymheredd uchel i baratoi cyffyrdd PN ac yn cyfansoddi cylchedau integredig ohono. Gellir ei ddefnyddio hefyd i baratoi ffilmiau Siox ar wyneb y wafer silicon i amddiffyn wafferi. Mae'n gyffredin defnyddio thermocyplau sy'n mesur rhannau mewnol ac allanol y ffwrnais i reoli tymheredd mewnol y ffwrnais trylediad a allai gyflawni'r broses ocsideiddio. Mae gan bob parth tymheredd penodedig thermocwl allanol a mewnol i sicrhau bod canlyniadau'r mesur yn ddibynadwy. Defnyddir thermocyplau cwarts metel bonheddig aml -bwynt i fesur tymheredd wafer, yn aml mae ganddo 3 ~ 9 pwynt mesur, sy'n cynrychioli tymheredd y wafer yn gywir.

Disgrifiad o gynhyrchion

I'r perwyl hwn, mae Duchin wedi datblygu technegau a chynhyrchion perchnogol fel thermocwl cwarts metel bonheddig aml-bwynt ar gyfer mesur tymheredd yr adran gyfan yn y ffwrnais trylediad, dyfais raddnodi ar gyfer thermocwl aml-bwynt.

Mae gan y cynnyrch rai nodweddion o fesur tymheredd dibynadwy, cywirdeb uchel, sefydlogrwydd da, ymateb thermol cyflym, gwrth-ymyrraeth, ymwrthedd effaith tymheredd uchel ac isel, bywyd gwasanaeth hir, ac ati. Mae paramedrau technegol thermocwl proffil lled -ddargludyddion fel a ganlyn:

Paramedrau Technegol	Thermocwl proffil lled -ddargludyddion
Theipia ’	S,R
Diamedr Gwifren neu Mims	φ0.35~0.5
Temp (gradd)	0~1100
Chywirdeb	±1.0
Hyd tiwb amddiffynnol (mm)	Llai na neu'n hafal i 4000
Diamedr tiwb amddiffynnol (mm)	φ12~18
Deunydd tiwb amddiffynnol	Chwarts
Strwythur pen poeth	Natguddiedig
Nifer y pwyntiau	3 ~ 6 phwynt
Derfyniad	Cysylltydd bach
Gwifren Iawndal	Sc {{0}} × 0.5fpf
Nodweddion strwythur	Mae ymgynnull T/C mewn cyfuniad ar gyfer pob pwynt yn eithaf anodd